在晶体管发展的同时，1954年G.L.皮尔逊发明了硅太阳电池；1957年，江崎玲於奈发明隧道二极管；1963年，J.B.耿发明耿氏二极管；1965年，R.L.约翰斯顿发明了碰撞雪崩渡越时间二极管。此外，在光电器件方面，1962年出现了砷化镓(GaAs)激光器，以后又发展成双异质结激光器，为光电子学开辟了新的领域。1962年，第一次成功地在硅表面上用SiO2作绝缘层制成了金属-氧化物-半导体结构的绝缘栅场效应晶体管，简称MOS晶体管，为发展大规模集成电路提供了技术基础。
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