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L、C元件称为“惯性元件”,即电感中的电流、电容器两端的电压,都有一定的“电惯性”,不能突然变化。充放电时间,不光与L、C的容量有关,还与充/放电电路中的电阻R有关。“1UF电容它的充放电时间是多长?”,不讲电阻,就不能回答。RC电路的时间常数:τ=RC充电时,uc=U×[1-e(-t/τ)]U是电源电压放电时,uc=Uo×e(-t/τ)Uo是放电前电容上电压RL电路的时间常数:τ=L/RLC电路接直流,i=Io[1-e(-t/τ)]Io是Zui终稳定电流LC电路的短路,i=Io×e(-t/τ)]Io是短路前L中电流设V0为电容上的初始电压值;V1为电容Zui终可充到或放到的电压值;Vt为t时刻电容上的电压值。
正接时候,R1提供VGS电压,MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通,起到防反接作用。功率MOS管的Rds(on)只有20mΩ实际损耗很小,3A的电流,功耗为(3×3)×0.02=0.18W根本不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。VZ1为稳压管防止栅源电压过高击穿mos管。P沟道MOS管防反接保护电路电路如示因为NMOS管的导通电阻比PMOS的小且价格相对更便宜,选NMOS。
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